AP8022HNE-A11主要功能.启动
AP8022H 内部集成高压启动电路，启动时SW脚对 VDD 电源提供充电电流。当 VDD 电压达到 VSTART 电压时，内部高压启动电路关闭，VDD 电容的能量由变换器提供;当VDD 电压低于 VsTOP ，芯片并不会马上重新启动，只有当 VDD 电压低到 VRS时，高压启动管开启并为 VDD 电容充电，直至 VDD 电压达到 VSTART。2.
启动阶段，漏极的最大峰值电流限制逐步的提高;可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为7.5ms。
3.输出驱动
AP8022H采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低的损耗。
4. 振荡器
AP8022H的振荡频率固定在60kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善EMI特性。
5. 反馈控制
反馈脚通过控制 MOSFET 的开通和关断实现输出的稳定。不同于传统的电压模式 PWM 控制电路，AP8022H 采用电流控制方式(如图2所示)，通过内部采样管得到流过功率 MOS的电流。从 COM 脚流入的电流通过 R2 进行采样采样电压(VR2)跟内部基准VR1比较;当VR2的电压超过内部基准电压时，则关断MOSFET 实现环路的控制。
6.
由于SW脚的寄生电容，当MOS开通瞬间存在较大的峰值电流，如果采样MOSFET采样到该信号，芯片会过入过流保护状态。为了防止MOS开通瞬间引起电路误触发，过流保护电路在功率管开通一段时间(典型值650ns)后才开始工作。
7.欠压锁定
由于异常情况导致功率管被关闭后，VDD 脚电压由于没有提供能量将会一直下降，当 VDD 电压下降到 VDD 重新启动电压(VRST，典型值6V)时，欠压锁定电路被复位，内部高压电流源重新开始给 VDD 提供能量。直至 VDD 电压上升到欠压锁定解除点(典型值14.5V)时，芯片开始正常工作，功率管正常开启和关闭。通过这种控制方法，芯片在异常情况消除后能自动重启动。
8.过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，能保证温度采样电路更准确的采样功率管的温度信号，从而更及时地对功率管进行保护。当芯片结温超过170°C时(典型值)，芯片进入过温保护状态;直至结温回到140℃C(典型值)时，芯片重新开始工作。温度保护存在滞回，保证芯片不会出现热振荡现象。
